Trans IGBT Module N-CH 1200V 913A
Información básica:
Fabricante de la marca | SKM600GA12T4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | single 1*(T+D) |
Construcción: | 1*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITRANS-4 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 314 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 12 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 913 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 702 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.14 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 5700000 [A2s] |
tr (Turn-on / rise time) | 90 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 100 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 3400 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 37200 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 106x61x37 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.049 [°C/W] |
L - Longitud | 106 [mm] |
W - Ancho | 61 [mm] |
H - Altura | 37 [mm] |