República Checa (čeština) Inglés Alemania (Deutsch) Austria (Deutsch) Suiza (Deutsch) República Eslovaca (slovenčina) Hungría (magyar) Rumania (Română) Francia (français) Italia (italiano) Polonia (polski) Estonia (eesti keel) Rusia (pусский) España (español) Eslovenia (slovenščina) Croacia (hrvatski) Bulgaria (български)
No tienes ningún artículo en su carrito

ACR3200VR33

Bypass Thyristor 3300V/3200A for the protection of IGBT modules in VSC multi-level applications

!_prilohy_!:
Haga click para agrandar
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:183764
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio con IVA : 929,1283 €
Precio sin IVA : 767,8746 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: ACR3200VR33
Unidad:: pcs
!_prehled mnozstevnich slev_!
CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
1 + 767,8746 €929,1283 €
6 + 748,6778 €905,9001 €
The Dynex Bypass Thyristor range of devices is specially designed for the protection of IGBT modules in Voltage Source Converter multi-level applications, where a reduced forward blocking voltage is required. Very Low Cosmic Ray FIT Rating, High Surge Capability, High dv/dt Rating
The primary characteristic of the bypass thyristor which determines current diversion from the IGBT diode is dynamic on-state voltage, with overall turn-on time a secondary influence. Highly optimised, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass thyristor devices have been produced for VSC protection.
Voltage Source Converter (VSC) technology provides a number of advantages over traditional (LCC) HVDC including self-commutation, small footprint, and black start capability and is becoming increasingly popular in applications such as offshore wind.With higher voltage systems, where the current handling capability of the IGBT diode is reduced, effective current diversion becomes essential.

Información básica:

Fabricante de la marcaACR3200VR33 
Type of casing:!_puk_! 
Caso:!_puk110/73x27t_! 
KategorieTrisil-Overvoltage Protection 
Tipo de componente:TRISIL 
Configuración:1xTiristor 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA

Parámetros eléctricos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)3200 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)3200 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)400 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)9240 [1000*A2s]
tf (turn-off=fall time)3000 [ns]

Material, color, diseño:

Tipo de material:!_si-silicon_! 

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)125 [°C]
Rthjc (case)0.00746 [°C/W]
Fmin:48000 [N]
Fmax:59000 [N]

Dimensiones:

PIN dimensiones0.00 [mm]

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:1100 [g]
Embalaje:

Su pregunta ACR3200VR33

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Su pregunta:*
Por favor, reescriba el código:* antispam
     Más información

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Por favor, escribir código de la imagen antispam
Copyright © www.semicshop.es by Shop5.cz

© www.semicshop.es

En la prestación de servicios nos ayudan a galletas. Utilizando nuestros servicios usted acepta nuestro uso de cookies.   Más información