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APT100GT120JRDQ4

Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube

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APT100GT120JRDQ4 Microchip Technology
APT100GT120JRDQ4 Microchip Technology
APT100GT120JRDQ4 Microchip Technology
pcs
ID Code:187810
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 82,3801 €
Precio sin IVA : 68,0827 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APT100GT120JRDQ4
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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5 + 65,2465 €78,9482 €
10 + 62,4098 €75,5159 €
25 + 59,5728 €72,0830 €


Información básica:

Fabricante de la marcaAPT100GT120JRDQ4 
KategorieIGBT Full Silicon 
Tipo de componente:IGBT-NPT 
Configuración:single 1*(T+D) 
Construcción:1*IGBT+1*D 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:33 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):30 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)123 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)123 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)67 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)570  [W]
tr (Turn-on / rise time)100 [ns]
tf (turn-off=fall time)36 [ns]
Qg (Total Gate Charge)685 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6700 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.22 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.56 [°C/W]
RM - Ráster15 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 12.7 [mm]
Number of Pins
D - Diámetro externo 4.1 [mm]
W - Ancho 25.3 [mm]
L - Longitud 38.1 [mm]
H - Altura 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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