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APT100GT120JRDQ4
Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube
| ID Code: | 187810 |
| Fabricante: | Microchip Technology |
| Precio con IVA : | 96,741160 € |
| Precio sin IVA : | 79,951372 € |
| VAT: | 21 % |
| Disponibilidad: | a petición |
| Stock total: | 0 pcs |
| Fabricante de la marca: | APT100GT120JRDQ4 |
| Unidad:: | pcs |
| Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
| 1 + | 79,951372 € | 96,741160 € | ||
| 5 + | 76,619849 € | 92,710018 € | ||
| 10 + | 73,288758 € | 88,679397 € | ||
| 25 + | 69,957666 € | 84,648776 € |
Información básica:
| Fabricante de la marca | APT100GT120JRDQ4 |
| Tipo de componente: | IGBT-NPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Configuración: | single 1*(T+D) |
| Construcción: | 1*(IGBT+D) |
| Número de circuitos | 1 ks |
| Tipo de material: | Si-Silicon |
| RoHS | Sí |
| REACH | No |
| Type of casing: | MODUL |
| Caso: | SOT-227 |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
| Unidad: | pcs |
| Peso: | 36 [g] |
| Tipo de envase: | TUBE |
| Paquete pequeño (Número de unidades): | 30 |
Parámetros electrofísicos:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 123 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 123 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 67 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UCE (sat) (@25°C) | 3.2 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 570 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 100 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 36 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 685 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 6700 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
| Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
| Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.22 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.56 [°C/W] |
| RM - Ráster | 15 [mm] |
| RM1 - Espaciado de filas | 12.7 [mm] |
| Number of Pins | 3 |
| D - Diámetro externo | 4.1 [mm] |
| W - Ancho | 25.3 [mm] |
| L - Longitud | 38.1 [mm] |
| H - Altura | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | SOT-227 [mm] |