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APT150GN60LDQ4G

IGBT, 600V Field Stop, 220A, 536W, SOT-264

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APT150GN60LDQ4G Microchip Technology
APT150GN60LDQ4G Microchip Technology
APT150GN60LDQ4G Microchip Technology
pcs
ID Code:187658
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 37,8156 €
Precio sin IVA : 31,2525 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APT150GN60LDQ4G
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
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5 + 29,9493 €36,2387 €
10 + 28,6473 €34,6633 €
25 + 27,3450 €33,0874 €


Información básica:

Fabricante de la marcaAPT150GN60LDQ4G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Tipo de componente:IGBT-Fieldstop 
Configuración:single 1*(T+D) 
Construcción:1*IGBT+1*D 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:THT 
Caso:TO-264 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:[g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):30 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)220 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)220 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)123 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)536  [W]
tr (Turn-on / rise time)110 [ns]
tf (turn-off=fall time)60 [ns]
Qg (Total Gate Charge)970 [nC]
Cin/CL Load Capacitance9200 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.28 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.3 [°C/W]
RM - Ráster5.45 [mm]
Number of Pins
D - Diámetro externo 3.25 [mm]
W - Ancho 20 [mm]
L - Longitud 26 [mm]
H - Altura [mm]
PIN dimensiones1,3 [mm]
Lv - Length of outlets20 [mm]

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