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APT200GT60JR

Trans IGBT Module N-CH 600V 195A 500000mW SOT-227

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APT200GT60JR Microchip Technology
APT200GT60JR Microchip Technology
APT200GT60JR Microchip Technology
pcs
ID Code:187884
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 66,0840 €
Precio sin IVA : 54,6149 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APT200GT60JR
Almacén central Zdice: 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
1 + 54,6149 €66,0840 €
5 + 52,3393 €63,3305 €
10 + 50,0637 €60,5770 €
25 + 47,7880 €57,8235 €


Información básica:

Fabricante de la marcaAPT200GT60JR 
Tipo de componente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:single (1T) 
Construcción:1*IGBT 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:36 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):30 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)195 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)195 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)[V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)500  [W]
tr (Turn-on / rise time)160 [ns]
tf (turn-off=fall time)212 [ns]
Qg (Total Gate Charge)946 [nC]
Cin/CL Load Capacitance8650 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.21 [°C/W]
RM - Ráster15 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 12.7 [mm]
Number of Pins
D - Diámetro externo 4.1 [mm]
W - Ancho 25.3 [mm]
L - Longitud 38.1 [mm]
H - Altura 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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