IGBT Chip N-CH 600V 40A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Información básica:
Fabricante de la marca | APT20GN60BDQ1G |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | single 1*(T+D) |
Construcción: | 1*IGBT+1*D |
Tipo de material: | !_si-silicon_! |
RoHS | Sí |
REACH | No |
Type of casing: | THT |
Caso: | !_to-247ad_3_! |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 6.1 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 30 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 600 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 40 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 40 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 24 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 2.18 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.9 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 136 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 22 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 10 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 95 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 120 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1110 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 1.1 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.35 [°C/W] |
RM - Ráster | 5.45 [mm] |
Number of Pins | 3 |
D - Diámetro externo | 3.65 [mm] |
W - Ancho | 16 [mm] |
L - Longitud | 21 [mm] |
H - Altura | 5 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | TO-247 [mm] |
PIN dimensiones | 1,4 [mm] |
Lv - Length of outlets | 19.8 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Productos alternativos 1: | IXXH30N60B3D1 |