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APT25GP90BDQ1G

PT IGBT, 900V, 72A, 417W, TO-247

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APT25GP90BDQ1G Microchip Technology
APT25GP90BDQ1G Microchip Technology
APT25GP90BDQ1G Microchip Technology
pcs
ID Code:187767
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 13,97 €
Precio sin IVA : 11,54 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APT25GP90BDQ1G
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
1 + 11,54 €13,97 €
5 + 11,06 €13,38 €
10 + 10,58 €12,80 €
25 + 10,10 €12,22 €


Información básica:

Fabricante de la marcaAPT25GP90BDQ1G 
Tipo de componente:IGBT-PT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:single 1*(T+D) 
Construcción:1*(IGBT+D) 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:THT 
Caso:!_to-247ad_3_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:7.2 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):30 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 900 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)72 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)72 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)36 [A]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)417  [W]
tr (Turn-on / rise time)16 [ns]
tf (turn-off=fall time)55 [ns]
Qg (Total Gate Charge)110 [nC]
Cin/CL Load Capacitance2100 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.3 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.18 [°C/W]
RM - Ráster5.45 [mm]
Number of Pins
D - Diámetro externo 3.65 [mm]
W - Ancho 16 [mm]
L - Longitud 21 [mm]
H - Altura [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-247 [mm]
PIN dimensiones1,4 [mm]
Lv - Length of outlets19.8 [mm]

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