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APT25M100J

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube

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APT25M100J Microchip Technology
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APT25M100J Microchip Technology
APT25M100J Microchip Technology
pcs
ID Code:188550
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 46,921111 €
Precio sin IVA : 38,777778 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APT25M100J
Plazo de entrega de fábrica: 42wk-49wk
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 38,777778 €46,921111 €
5 + 37,161508 €44,965425 €
10 + 35,545635 €43,010218 €
25 + 33,930159 €41,055492 €


Información básica:

Fabricante de la marcaAPT25M100J 
Plazo de entrega de fábrica42wk-49wk [wk]
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuración:Single 1*(T-BD) 
Especificación:Enhancement Mode 
Construcción:1*FET-BD 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :SOT-227 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:36 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1000 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)16 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)545  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)330 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)1165 [ns]
tr (Turn-on / rise time)40 [ns]
tf (turn-off=fall time)38 [ns]
Qg (Total Gate Charge)305 [nC]
Cin/CL Load Capacitance9835 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)0.23 [°C/W]
RM - Ráster15 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 12.7 [mm]
D - Diámetro externo 4.1 [mm]
L - Longitud 38.1 [mm]
W - Ancho 25.3 [mm]
H - Altura 12 [mm]

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