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APT35GP120JDQ2

PT IGBT, 1200V, 64A, 284W, SOT-227 (ISOTOP)

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APT35GP120JDQ2 Microchip Technology
APT35GP120JDQ2 Microchip Technology
APT35GP120JDQ2 Microchip Technology
pcs
ID Code:187798
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 57,8171 €
Precio sin IVA : 47,7827 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APT35GP120JDQ2
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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5 + 45,7912 €55,4074 €
10 + 43,8002 €52,9982 €
25 + 41,8095 €50,5895 €


Información básica:

Fabricante de la marcaAPT35GP120JDQ2 
KategorieIGBT Full Silicon 
Tipo de componente:IGBT-PT 
Configuración:single 1*(T+D) 
Construcción:1*IGBT+1*D 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:33 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):30 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)64 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)64 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)26 [A]
UCE (sat) (@25°C)3.3 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)284  [W]
tr (Turn-on / rise time)20 [ns]
tf (turn-off=fall time)40 [ns]
Qg (Total Gate Charge)150 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3240 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.44 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.1 [°C/W]
RM - Ráster15 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 12.7 [mm]
Number of Pins
D - Diámetro externo 4.1 [mm]
W - Ancho 25.3 [mm]
L - Longitud 38.1 [mm]
H - Altura 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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