Trans IGBT Module N-CH 1200V 120A 521000mW
ID Code: | 187847 |
Fabricante: | Microchip Technology |
Precio con IVA : | 119,178186 € |
Precio sin IVA : | 98,494369 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | APT50GF120JRDQ3 |
Plazo de entrega de fábrica: | 42wk-49wk |
Unidad:: | pcs |
Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
1 + | 98,494369 € | 119,178186 € | ||
5 + | 94,388461 € | 114,210038 € | ||
10 + | 90,284924 € | 109,244758 € | ||
25 + | 86,180992 € | 104,279000 € |
Fabricante de la marca | APT50GF120JRDQ3 |
Plazo de entrega de fábrica | 42wk-49wk [wk] |
Tipo de componente: | IGBT-NPT |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | single 1*(T+D) |
Construcción: | 1*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SOT-227 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 36 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 1 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 120 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 64 [A] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 521 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 70 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 65 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 495 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 5320 pF |
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.24 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.56 [°C/W] |
RM - Ráster | 15 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 12.7 [mm] |
D - Diámetro externo | 4.1 [mm] |
L - Longitud | 38.1 [mm] |
W - Ancho | 25.3 [mm] |
H - Altura | 12 [mm] |