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APT50GN60BDQ2G

IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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APT50GN60BDQ2G Microsemi / Microchip Technology
pcs
ID Code:185727
Fabricante:Microsemi / Microchip Technology
Precio con IVA : 5,9373 €
Precio sin IVA : 4,9068 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APT50GN60BDQ2G
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Unidad:: pcs
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IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Información básica:

Fabricante de la marcaAPT50GN60BDQ2G 
Type of casing:THT 
Caso:!_to-247ad_3_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:!_single 1*(t+d)_! 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:12.98 [g]
Paquete pequeño (Número de unidades):30 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)107 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)107 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)64 [A]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)366  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)22 [ns]
tr (Turn-on / rise time)25 [ns]
tf (turn-off=fall time)100 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.015 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)325 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3200 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.41 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.67 [°C/W]
Number of Pins
PIN dimensiones0.00 [mm]

Alternativas y sustitutos

Productos alternativos 1:IXXH75N60B3D1 
Productos alternativos 2:IXXH50N60B3D1 

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