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APT80M60J

Trans MOSFET N-CH Si 600V 84A 4-Pin SOT-227 Tube

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APT80M60J Microchip Technology
APT80M60J Microchip Technology
APT80M60J Microchip Technology
pcs
ID Code:188876
Fabricante:Microchip Technology
Precio con IVA : 80,7114 €
Precio sin IVA : 66,7036 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APT80M60J
Almacén central Zdice: 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
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5 + 63,9244 €77,3485 €
10 + 61,1452 €73,9857 €
25 + 58,3656 €70,6223 €


Información básica:

Fabricante de la marcaAPT80M60J 
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuración:Single 1*(T-BD) 
Especificación:!_enhancement mode_! 
Construcción:1*FET-BD 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:36 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):10 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)84 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)84 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)52 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)960  [W]
Input Logic Level (Ugs level)30V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)55 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)900 [ns]
tr (Turn-on / rise time)155 [ns]
tf (turn-off=fall time)125 [ns]
Qg (Total Gate Charge)600 [nC]
Cin/CL Load Capacitance24000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)0.13 [°C/W]
RM - Ráster15 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 12.7 [mm]
Number of Pins
D - Diámetro externo 4.1 [mm]
W - Ancho 25.3 [mm]
L - Longitud 38.1 [mm]
H - Altura 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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