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APTGLQ300H65G

IGBT 650V

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APTGLQ300H65G Microsemi / Microchip Technology
APTGLQ300H65G Microsemi / Microchip Technology
pcs
ID Code:185767
Fabricante:Microsemi / Microchip Technology
Precio con IVA : 307,7565 €
Precio sin IVA : 254,3442 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APTGLQ300H65G
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
1 + 254,3442 €307,7565 €
2 + 231,2120 €279,7665 €
4 + 217,1186 €262,7135 €
7 + 218,4468 €264,3206 €
IGBT 650V H-Bridge • High speed Trench + Field Stop IGBT 4 Technology

Información básica:

Fabricante de la marcaAPTGLQ300H65G 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_modul-sp6c_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:!_full bridge_! 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:300 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)385 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)385 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)300 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.3 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1000  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)125 [ns]
tr (Turn-on / rise time)33 [ns]
tf (turn-off=fall time)21 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.03 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)1750 [nC]
Cin/CL Load Capacitance18300 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.15 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.26 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

Su pregunta APTGLQ300H65G

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