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APTGTQ100H65T3G

IGBT 650V

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APTGTQ100H65T3G Microchip Technology - Microsemi
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology - Microsemi
pcs
ID Code:185771
Fabricante:Microchip Technology - Microsemi
Precio con IVA : 132,6882 €
Precio sin IVA : 109,6596 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APTGTQ100H65T3G
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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25 + 95,9276 €116,0724 €
IGBT 650V H-Bridge • High speed IGBT 5

Información básica:

Fabricante de la marcaAPTGTQ100H65T3G 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_modul-sp3f_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:!_full bridge_! 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:110 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)250  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)46 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf (turn-off=fall time)18 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.1 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)240 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.6 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.7 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

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