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APTM120UM70DAG

MOSFET Single 1200V/171A with Series diodes

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APTM120UM70DAG Microsemi / Microchip Technology
APTM120UM70DAG Microsemi / Microchip Technology
pcs
ID Code:185819
Fabricante:Microsemi / Microchip Technology
Precio con IVA : 414,5383 €
Precio sin IVA : 342,5936 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: APTM120UM70DAG
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
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3 + 333,9974 €404,1369 €
6 + 316,8788 €383,4234 €
12 + 291,2009 €352,3531 €


Información básica:

Fabricante de la marcaAPTM120UM70DAG 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_modul-sp6_! 
KategorieFET N-Channel 
Configuración:!_single 1*(t+d)_! 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:300 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)171 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)171 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)126 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)5000  [W]
Input Logic Level (Ugs level)30V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)80 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)400 [ns]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf (turn-off=fall time)62 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.05 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)1650 [nC]
Cin/CL Load Capacitance43500 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)0.025 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.08 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.14 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

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