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BSM25GD120DN2

IGBT 1200V

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BSM25GD120DN2 Infineon Technologies
BSM25GD120DN2 Infineon Technologies
pcs
ID Code:160826
Fabricante:Infineon Technologies
Precio con IVA : 149,359748 €
Precio sin IVA : 123,437808 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: BSM25GD120DN2
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 123,437808 €149,359748 €
5 + 116,380840 €140,820816 €
10 + 102,306328 €123,790657 €
20 + 98,758131 €119,497339 €
IGBT 1200V

Información básica:

Fabricante de la marcaBSM25GD120DN2 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:Bridge 3f 
Construcción:6*(IGBT+D) 
Número de circuitos 6 ks
Tipo de caso:Modul 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:233.2 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):10 

Parámetros electrofísicos:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)35 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)200  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)130 [ns]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf (turn-off=fall time)50 [ns]
Qg (Total Gate Charge)140 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1650 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)125 [°C]
Rthjc (case)0.06 [°C/W]

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