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BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123LT1G ON Semiconductor (Farchild)
BSS123LT1G ON Semiconductor (Farchild)
BSS123LT1G ON Semiconductor (Farchild)
BSS123LT1G ON Semiconductor (Farchild)
pcs
ID Code:132930
Fabricante:ON Semiconductor (Farchild)
Precio con IVA : 0,081192 €
Precio sin IVA : 0,067101 €
VAT:21 %
Disponibilidad:En la acción
Stock total:3000 pcs
Fabricante de la marca: BSS123LT1G
Almacén central Zdice: 3000 pcs
Esperado: 3000; 08/12/2023
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
10 + 0,067101 €0,081192 €
100 + 0,059207 €0,071640 €
300 + 0,055260 €0,066865 €
1000 + 0,050128 €0,060655 €
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

Información básica:

Fabricante de la marcaBSS123LT1G 
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuración:Single 1*(T-BD) 
Especificación:Enhancement Mode 
Construcción:1*FET-BD 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:SMD 
Caso [inch] :SOT- 23/3 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:0.03 [g]
Tipo de envase:K18A 
Paquete pequeño (Número de unidades):3000 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)0.22 [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)5000 [mΩ]
Cin/CL Load Capacitance20 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:SOT-23/3 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthja (ambient)556 [°C/W]
RM - Ráster0.95 [mm]
Number of Pins
L - Longitud 2.9 [mm]
W - Ancho 1.3 [mm]
H - Altura [mm]
PIN dimensiones0,5 [mm]
Lv - Length of outlets0.54 [mm]

Alternativas y sustitutos

Alternativa 1:232378 - BSS123-7-F (DDI) 
Alternativa 2:132775 - BSS123NH6327XTSA1 (INF) 
Alternativa 3:186753 - MMFTN123 (DIO) 

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