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BYD57M

1000V 1A/Ttp85°C 8.5A/10ms 75ns , Rthja=150°C/W

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BYD57M NXP Semiconductors (Philips)
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ID Code:133363
Fabricante:NXP Semiconductors (Philips)
Precio: a petición
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: BYD57M
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1000V 1A/Ttp85°C 8.5A/10ms 75ns , Rthja=150°C/W

Información básica:

Fabricante de la marcaBYD57M 
Tipo de componente:Diode Fast 
KategorieDiode Fast SMD 
Configuración:single (1D) 
Tipo de caso:SMD 
Caso [inch] :SOD-87 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:0.27 [g]
Tipo de envase:K18A 
Paquete pequeño (Número de unidades):2000 

Parámetros electrofísicos:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)0.4 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)0.4 [A]
UF (maximum forward voltage)2.1 [VDC]
IR (reverse current)[µA]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)75 [ns]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:SOD-87 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-65 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthja (ambient)150 [°C/W]
D - Diámetro externo 2.05 [mm]
L - Longitud [mm]
W - Ancho 1.9 [mm]
Lv - Length of outlets0.3 [mm]

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