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BYW29-200G

200V 8A/Tc150°C trr<35ns/1A-50A/us , 80A/10ms

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BYW29-200G ON Semiconductor (Farchild)
BYW29-200G ON Semiconductor (Farchild)
BYW29-200G ON Semiconductor (Farchild)
pcs
ID Code:132741
Fabricante:ON Semiconductor (Farchild)
Precio con IVA : 0,887636 €
Precio sin IVA : 0,733583 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: BYW29-200G
Almacén central Zdice: 0 pcs
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 0,733583 €0,887635 €
5 + 0,674423 €0,816052 €
10 + 0,611319 €0,739696 €
25 + 0,583711 €0,706290 €
200V 8A/Tc150°C trr<35ns/1A-50A/us , 80A/10ms

Información básica:

Fabricante de la marcaBYW29-200G 
Tipo de componente:Diode Fast 
KategorieDiode Fast THT 
Configuración:single (1D) 
Tipo de caso:THT 
Caso [inch] :TO-220AC 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:3.36 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):50 

Parámetros electrofísicos:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)[A]
IF(AV) (Tc/Ta=150÷159°C)[A]
UF (maximum forward voltage)1.3 [VDC]
IR (reverse current)[µA]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)35 [ns]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:TO-220 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-65 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)3 [°C/W]
RM - Ráster5.1 [mm]
Number of Pins
L - Longitud 15 [mm]
W - Ancho 10 [mm]
H - Altura [mm]
PIN dimensiones0,88 [mm]
Lv - Length of outlets13 [mm]

Alternativas y sustitutos

Productos alternativos 1:FES8DT 

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