IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.
Información básica:
Fabricante de la marca | DIM125PHM33-TS000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construcción: | 2*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Sí |
REACH | No |
Type of casing: | MODUL |
Caso: | MODUL - P |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 700 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 4 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 3300 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 125 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 125 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 5 [1000*A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1300 [W] |
Esw (125°C) | 1200 [mJ] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 520 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 610 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 2500 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 22500 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.096 [°C/W] |
W - Ancho | 73 [mm] |
L - Longitud | 140 [mm] |
H - Altura | 38 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 140x73x38 [mm] |