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DIM 125PHM33-TS000

SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss

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DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:185401
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio con IVA : 562,1140 €
Precio sin IVA : 464,5570 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: DIM125PHM33-TS000
Almacén central Zdice: 0 pcs
Unidad:: pcs
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CantidadPrecio sin IVAPrecio con IVA
1 + 464,5570 €562,1140 €
3 + 452,9515 €548,0713 €
6 + 429,6985 €519,9351 €
12 + 394,8818 €477,8070 €
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.

Información básica:

Fabricante de la marcaDIM125PHM33-TS000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Construcción:2*(IGBT+D) 
Número de circuitos 2 ks
Tipo de material:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:MODUL - P 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:700 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)125 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)[1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1300  [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)520 [ns]
tf (turn-off=fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2500 [nC]
Cin/CL Load Capacitance22500 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)0.096 [°C/W]
W - Ancho 73 [mm]
L - Longitud 140 [mm]
H - Altura 38 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)140x73x38 [mm]

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