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DIM 125PHM65-TS000

SPT IGBT Module 6500V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss

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DIM 125PHM65-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM65-TS000 Dynex Semiconductor
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ID Code:185427
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio: a petición
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: DIM125PHM65-TS000
Unidad:: pcs
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IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.

Información básica:

Fabricante de la marcaDIM125PHM65-TS000 
Type of casing:MODUL 
Caso:MODUL - P 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:!_half bridge_! 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:500 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 6500 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)125 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)3.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)11 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1850  [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)340 [ns]
tf (turn-off=fall time)450 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance20000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.054 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.108 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

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