IGBT Module 6500V/750A Single, AlSiC , Low Switching Loss Range, Gen4 DMOS
Información básica:
Fabricante de la marca | DIM750ASM65-PS500 |
Type of casing: | MODUL |
Caso: | MODUL - A |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | !_singl-e 3*(t+d)_! |
Tipo de material: | !_si-silicon_! |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 1700 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 2 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 6500 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 750 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 750 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 10200 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 3.3 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 3 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 460 [1000*A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 11700 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 330 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 2390 [ns] |
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.0005 [MHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 9400 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 123000 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.009 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.019 [°C/W] |
PIN dimensiones | 0.00 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Productos alternativos 1: | FZ750R65KE3 |
Productos alternativos 2: | CM750HG-130R |