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DIM1000ECM33-MS018

IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

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DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:182758
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio con IVA : 2 078,5434 €
Precio sin IVA : 1 717,8044 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: DIM1000ECM33-MS018
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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12 + 1 460,1220 €1 766,7476 €
IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

Información básica:

Fabricante de la marcaDIM1000ECM33-MS018 
Type of casing:MODUL 
Caso:MODUL - E 
Configuración:!_chopper_! 
Tipo de material:AlSiC base 
Material: CarcasaSi-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:1400 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1000 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)11900  [W]
Esw (125°C)4750 [mJ]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)470 [ns]
tf (turn-off=fall time)640 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.0008 [MHz]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)125 [°C]
Rthjc (case)0.006 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.01 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.018 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

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