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DIM1200ASM45-TF000

IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

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DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:182767
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio con IVA : 1 614,2397 €
Precio sin IVA : 1 334,0824 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: DIM1200ASM45-TF000
Almacén central Zdice: 0 pcs
Almacén externo (tiempo de entrega 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

Información básica:

Fabricante de la marcaDIM1200ASM45-TF000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:singl-E 3*(T+D) 
Construcción:3*IGBT+3*D 
Tipo de material:AlSiC base 
Material: CarcasaSi-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:MODUL - A 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:2010.2 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4500 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)7400 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)3.5 [V]
I2t (TC/TA=25°C)460 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)12500  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)290 [ns]
tf (turn-off=fall time)400 [ns]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance150000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)125 [°C]
Rthjc (case)0.008 [°C/W]
W - Ancho 140 [mm]
L - Longitud 190 [mm]
H - Altura 48 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)190x140x48 [mm]

Alternativas y sustitutos

Productos alternativos 1:CM1200HC-90R 

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