IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC
Información básica:
Fabricante de la marca | DIM1200ASM45-TF000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | single-E3*(T+D) |
Construcción: | 3*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 3 ks |
Tipo de material: | Base AlSiC |
Material: Carcasa | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
Type of casing: | MODUL |
Caso: | MODUL - A |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 2010.2 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 2 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 4500 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 7400 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.8 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 3.5 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 460 [1000*A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 12500 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 290 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 400 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 17000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 150000 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.008 [°C/W] |
W - Ancho | 140 [mm] |
L - Longitud | 190 [mm] |
H - Altura | 48 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 190x140x48 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Productos alternativos 1: | CM1200HC-90R |