Ubicación para la entrega   Idioma:    Divisa:    
No tienes ningún artículo en su carrito

DIM1200ESM33-MH00

Fast IGBT Module 3300V/1200A Single Fast SiC Diodes

!_prilohy_!:
Haga click para agrandar
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
Ya no está en stock
ID Code:185397
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio: a petición
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: DIM1200ESM33-MH00
Almacén central Zdice: 0 pcs
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
This uses our latest technology trench IGBT, optimised for fast switching, and a SiC diode.
Some of the system-level benefits are improved efficiency, reduced volume/ size and weight. New inverter/converter topologies can also be realised with these devices. SiC devices (MOSFETs, Schottky diodes) are still expensive and hybrid Si/Sic module strikes a perfect balance between performance and cost. The SiC Schottky almost completely eliminates the reverse recovery loss. As a result the Erec loss is minuscule in hybrid module. ln addition, for applications such as PWM
inverters that have a hard switched turn-on there is also a significant reduction in turn-on losses due the dramatic reduction in free wheel diode recovery current.

Información básica:

Fabricante de la marcaDIM1200ESM33-MH00 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Configuración:single-E3*(T+D) 
Construcción:3*(IGBT+D) 
Número de circuitos 3 ks
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :MODUL-E 
Tipo de material:SiC Hybrid 
Material BaseALSiC 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:1900 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1200 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.9 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)17900  [W]
tr (Turn-on / rise time)360 [ns]
tf (turn-off=fall time)290 [ns]
Qg (Total Gate Charge)13000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance140000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:190x140x38 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.007 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.03 [°C/W]
L - Longitud 190 [mm]
W - Ancho 140 [mm]
H - Altura 38 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Su pregunta
     Más información




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Por favor, escribir código de la imagen antispam

En la prestación de servicios nos ayudan a galletas. Utilizando nuestros servicios usted acepta nuestro uso de cookies.   Más información