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DIM1500ESM33-TF000

SPT IGBT Modul 3300V/1500A Single, low switching loss

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DIM1500ESM33-TF000 Dynex Semiconductor
DIM1500ESM33-TF000 Dynex Semiconductor
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ID Code:185400
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio: a petición
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: DIM1500ESM33-TF000
Unidad:: pcs
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IGBT Module 3300V/1500A Single, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.
The high-performance device has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) plus 10?s short circuit withstand.
In addition, the module has a chip junction temperature that works reliably within an operating range from -40°C to a maximum of 150°C. This device is highly efficient and optimised for applications such as; traction drives, motor controllers, inverters and choppers requiring high thermal cycling capability. The DIM1500ESM33-TF000 incorporates an electrically isolated base plate and low inductance construction, enabling circuit designers to optimise circuit layouts and utilise grounded heat sinks for safety. This product offers a number of benefits for end-user applications inclusive of; improved thermal characteristics, maximised system efficiency and reliable operation in severe environments.

Información básica:

Fabricante de la marcaDIM1500ESM33-TF000 
Type of casing:MODUL 
Caso:MODUL - E 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:!_singl-e 3*(t+d)_! 
Tipo de material:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:1400 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1500 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)1500 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)720 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)15600  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)440 [ns]
tf (turn-off=fall time)520 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)25000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance260000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.008 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.016 [°C/W]
PIN dimensiones0.00 [mm]

Alternativas y sustitutos

Productos alternativos 1:FZ1500R33HE3 
Productos alternativos 2:CM1500HC-66R 
Productos alternativos 3:MBN1500E33E2 

Su pregunta DIM1500ESM33-TF000

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