250V 310mA/25°C 1250mA/10ms 5000mO ,1W/Ta25° Rth=125°C OBSOLETE
Información básica:
Fabricante de la marca | OBSOLETE |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | THT |
Caso [inch] : | TO- 92/3-W |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | No |
REACH | No |
NOVINKA | N |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.37 [g] |
Tipo de envase: | AMMO |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 2000 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 250 [V] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 1 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 3V |
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V) | 7500 [mΩ] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 2800 [mΩ] |
Cin/CL Load Capacitance | 100 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | TO- 92 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 125 [°C/W] |
RM - Ráster | 5.08 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 2.54 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Longitud | 3.9 [mm] |
W - Ancho | 4.6 [mm] |
H - Altura | 5.1 [mm] |
PIN dimensiones | 0,44x0,41 [mm] |
Lv - Length of outlets | 13.7 [mm] |