Us=11÷45V Upr=47V Ron<200mO 0.625A/kan ,Rthjc=1.5°C/W, P-DSO-36-12
Información básica:
Fabricante de la marca | BTS4880R |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET Smart - High Side |
Configuración: | 8*High side |
Construcción: | 8*Smart FET |
Número de circuitos | 8 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | SO-36W |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.09 [g] |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 800 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 45.0 [V] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1.4 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 3.3 [W] |
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V) | 200 [mΩ] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 155 [°C] |
Rthjc (case) | 1.5 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 50 [°C/W] |