Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC N T/R
Información básica:
Fabricante de la marca | FDS6982S |
Plazo de entrega de fábrica | Obsolete [wk] |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuración: | Single 2*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 2*FET-BD |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | SO- 8 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.7 [g] |
Tipo de envase: | K33B |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 2500 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 30 [V] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 2 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 5V |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 28 [mΩ] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 21 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 20 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 8.5 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 2040 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 4.90*3.90*1.70 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 40 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 78 [°C/W] |
RM - Ráster | 1.27 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 6 [mm] |
Number of Pins | 8 |
L - Longitud | 4.9 [mm] |
W - Ancho | 3.9 [mm] |
H - Altura | 1.7 [mm] |
PIN dimensiones | 0,41x0,25 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1.1 [mm] |