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FS50R12KE3

IGBT 1200V

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FS50R12KE3 Infineon Technologies
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ID Code:158566
Fabricante:Infineon Technologies
Precio: a petición
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: FS50R12KE3
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
IGBT 1200V

Información básica:

Fabricante de la marcaFS50R12KE3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:Bridge 3f 
Construcción:6*(IGBT+D) 
Número de circuitos 6 ks
Tipo de caso:Modul 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:198 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):10 

Parámetros electrofísicos:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)75 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)700 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)270  [W]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)70 [ns]
Qg (Total Gate Charge)470 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3500 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)125 [°C]
Rthjc (case)0.45 [°C/W]

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