36V 50mO Ishutdown=18A 165°C , Rthjc=3.9°C/W
Información básica:
Fabricante de la marca | IPS1031SPbF |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET Smart - Low Side |
Configuración: | Low side |
Construcción: | 1*Smart FET |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | D2-PAK |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 4.8 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 50 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 36.0 [V] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 18 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 3.3 [A] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 3.1 [W] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 40 [mΩ] |
f max | 1.5 [kHz] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | D2-PAK |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 3.9 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 70 [°C/W] |
RM - Ráster | 2.54 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 5.08 [mm] |
L - Longitud | 8.7 [mm] |
W - Ancho | 10 [mm] |
H - Altura | 4.4 [mm] |
PIN dimensiones | 0,85x0,55 [mm] |
Lv - Length of outlets | 2.6 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Alternativa 1: | - AUIPS1031S &IR () |