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IRF5305L

-55V -31A/25°C -22A/100°C 60mO , 110W/25°C Rthjc=1.4°C/W

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IRF5305L Infineon Technologies
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ID Code:129762
Fabricante:Infineon Technologies
Precio: a petición
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: IRF5305LPBF
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
-55V -31A/25°C -22A/100°C 60mO , 110W/25°C Rthjc=1.4°C/W

Información básica:

Fabricante de la marcaIRF5305LPBF 
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configuración:Single 1*(T-BD) 
Especificación:Enhancement Mode 
Construcción:1*FET-BD 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:THT 
Caso [inch] :TO-262 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:0.09 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):50 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -55 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)-22 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)110  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)60 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)71 [ns]
Qg (Total Gate Charge)63 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1200 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc (case)1.4 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
Number of Pins

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