-55V -31A/25°C -22A/100°C 60mO , 110W/25°C Rthjc=1.4°C/W
Información básica:
Fabricante de la marca | IRF5305LPBF |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | THT |
Caso [inch] : | TO-262 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.09 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 50 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -55 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | -22 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 110 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 60 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 71 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 63 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1200 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 1.4 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
Number of Pins | 3 |