30V 2x10A/25° 8.1A/70° 13.4mO +12V *L , 2W Rthja=62.5°C/W dual SO1
Información básica:
Fabricante de la marca | IRF7335D1 |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET+Diode (FETKY) |
Configuración: | Half Bridge |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 2*FET-BD+1*D |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | SO-14 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | No |
REACH | No |
NOVINKA | N |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.3 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 55 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 30 [V] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 10 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 8.1 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1 [VDC] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 2 [W] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 13.4 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 31 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 13 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1500 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | SO- 14 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 62.5 [°C/W] |
RM - Ráster | 1.27 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 6 [mm] |
L - Longitud | 8.65 [mm] |
W - Ancho | 3.9 [mm] |
H - Altura | 1.75 [mm] |
PIN dimensiones | 0,41x0,25 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1 [mm] |