20/-20V; 2.4/-1,7A/25°C; 1.9/-1.4A/70°C; 135mO/270mO; 1.25W/25°C
Información básica:
Fabricante de la marca | IRF7507TRPBF |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N+P-Channel |
Configuración: | Single 2*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 2*FET-BD |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | MSOP- 8 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.6 [g] |
Tipo de envase: | K18A |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 4000 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 20/-20 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 1.9 [A] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 1.25 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 3V |
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V) | 120 [mΩ] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 85 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 39 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 5.3 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 260 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 3*3*1 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 100 [°C/W] |
RM - Ráster | 0.65 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 4.9 [mm] |
Number of Pins | 8 |
L - Longitud | 3 [mm] |
W - Ancho | 3 [mm] |
H - Altura | 1 [mm] |
PIN dimensiones | 0,3 [mm] |
Lv - Length of outlets | 0.4 [mm] |