-12V -10A/25°C -8A/70°C 11mO/10A TSSOP , 38W/25°C Rthjc=3.3°C/W
Información básica:
Fabricante de la marca | IRF7701PBF |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | TSSOP- 8 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.09 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 100 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -12 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | -8 [A] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 1.5 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 3V |
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V) | 15 [mΩ] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 11 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 52 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 69 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 5050 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 83 [°C/W] |