-100V -23A/25°C -16A/100°C 3.8W/25°C , 117mO/-10V/-11A Rthjc=1.1°
Información básica:
Fabricante de la marca | IRF9540NSPBF |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | D2-PAK |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 4.8 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 50 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -100 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | -16 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 140 [W] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 3.8 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 117 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 150 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 97 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1300 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | D2-PAK |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 1.1 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
RM - Ráster | 2.54 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 5.08 [mm] |
L - Longitud | 8.7 [mm] |
W - Ancho | 10 [mm] |
H - Altura | 4.4 [mm] |
PIN dimensiones | 0,85x0,55 [mm] |
Lv - Length of outlets | 2.6 [mm] |