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IRF9Z24N

-55V -12A/25°C -8,5A/100°C 175mO *S , 45W/25°C Rthjc=3.3°C/W

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IRF9Z24N Infineon Technologies
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IRF9Z24N Infineon Technologies
IRF9Z24N Infineon Technologies
pcs
ID Code:108193
Fabricante:Infineon Technologies
Precio con IVA : 0,700059 €
Precio sin IVA : 0,578562 €
VAT:21 %
Disponibilidad:En la acción
Stock total:277 pcs
Fabricante de la marca: IRF9Z24N
Almacén central Zdice: 277 pcs
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 0,578562 €0,700060 €
5 + 0,531009 €0,642521 €
10 + 0,519120 €0,628135 €
25 + 0,519120 €0,628135 €
-55V -12A/25°C -8,5A/100°C 175mO *S , 45W/25°C Rthjc=3.3°C/W

Información básica:

Fabricante de la marcaIRF9Z24N 
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configuración:Single 1*(T-BD) 
Especificación:Enhancement Mode 
Construcción:1*FET-BD 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:THT 
Caso [inch] :TO-220AB 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSNo 
REACHNo 
NOVINKA

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:2.4 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):50 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -55 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)-8.5 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)45  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)175 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)47 [ns]
Qg (Total Gate Charge)19 [nC]
Cin/CL Load Capacitance350 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:TO-220 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc (case)3.3 [°C/W]
Rthja (ambient)62 [°C/W]
RM - Ráster2.5 [mm]
Number of Pins
L - Longitud 15 [mm]
L1 - Longitud 6.5 [mm]
W - Ancho 10 [mm]
H - Altura [mm]
PIN dimensiones[mm]
Lv - Length of outlets12.7 [mm]

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