IGBT 1200V
ID Code: | 161598 |
Fabricante: | Infineon Technologies |
Precio con IVA : | 132,165185 € |
Precio sin IVA : | 109,227425 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | FD200R12KE3 |
Almacén central Zdice: | 0 pcs |
Unidad:: | pcs |
Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
1 + | 109,227425 € | 132,165184 € | ||
2 + | 102,983600 € | 124,610156 € | ||
3 + | 90,495949 € | 109,500098 € | ||
6 + | 87,374037 € | 105,722585 € |
Fabricante de la marca | FD200R12KE3 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Low side 1*(Boost Chopper) |
Construcción: | 1*(IGBT+D)+D |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITRANS-3 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 355 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 3 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 295 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.65 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 19000 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1050 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 90 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 130 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1900 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 14000 pF |
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.12 [°C/W] |
RM - Ráster | 28 [mm] |
L - Longitud | 106.4 [mm] |
W - Ancho | 61.4 [mm] |
H - Altura | 30.5 [mm] |
Alternativa 1: | 161301 - SKM200GAL12E4 (SMK) |
I+case 62x106_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm ID: 176035 Fabricante no.: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Stock total: 9104 Fabricante: SEMIC EU |