30V 8.3A/25°C 6,6A/70°C 25mO +12V *LL , 2.5W/25°C Rthja=50°C/W SO8
Información básica:
Fabricante de la marca | IRF7807D2 |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET+Diode (FETKY) |
Configuración: | Single 1*(T-BD+Parallel D) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD+1*D |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | SO- 8 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | No |
REACH | No |
NOVINKA | N |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 0.7 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 95 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 30 [V] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 8.3 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 6.6 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 0.54 [VDC] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 2.5 [W] |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 25 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 36 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 14 [nC] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 4.90*3.90*1.70 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 50 [°C/W] |
RM - Ráster | 1.27 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 6 [mm] |
Number of Pins | 8 |
L - Longitud | 4.9 [mm] |
W - Ancho | 3.9 [mm] |
H - Altura | 1.7 [mm] |
PIN dimensiones | 0,41x0,25 [mm] |
Lv - Length of outlets | 1.1 [mm] |