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DIM 800DCS12-A000

IGBT Chopper Module 1200V / 800A

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DIM 800DCS12-A000 Dynex Semiconductor
DIM 800DCS12-A000 Dynex Semiconductor
DIM 800DCS12-A000 Dynex Semiconductor
pcs
ID Code:171576
Fabricante:Dynex Semiconductor
Precio con IVA : 640,169137 €
Precio sin IVA : 529,065402 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: DIM800DCS12-A000
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 529,065402 €640,169136 €
3 + 515,826912 €624,150564 €
6 + 489,389449 €592,161233 €
12 + 449,713495 €544,153329 €
IGBT Chopper Module 1200V / 800A

Información básica:

Fabricante de la marcaDIM800DCS12-A000 
Tipo de componente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configuración:single 1*(T+D)+D(Chopper) 
Construcción:1*(IGBT+D)+D 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :MODUL-D 
Tipo de material:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:1185.5 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):

Parámetros electrofísicos:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.1 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)100000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)6940  [W]
tr (Turn-on / rise time)250 [ns]
tf (turn-off=fall time)170 [ns]
Qg (Total Gate Charge)9000 [nC]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:130x140x38 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)125 [°C]
Rthjc (case)0.018 [°C/W]
L - Longitud 130 [mm]
W - Ancho 140 [mm]
H - Altura 38 [mm]

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