Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.11KA
Información básica:
Fabricante de la marca | SEMiX603GB12E4p |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construcción: | 2*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMiX-3p |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 450 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 6 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1100 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 853 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.08 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 85 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 145 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 3450 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 37500 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.025 [°C/W] |
L - Longitud | 150 [mm] |
W - Ancho | 62 [mm] |
H - Altura | 21 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Productos alternativos 1: | FF600R12ME4 |