IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Información básica:
Fabricante de la marca | APT75GN60LDQ3G |
Plazo de entrega de fábrica | 42wk-49wk [wk] |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | single 1*(T+D) |
Construcción: | 1*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | THT |
Caso [inch] : | TO-264 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 12 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 1 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 155 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 93 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 536 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 29 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 48 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 38 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 485 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 4500 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | TO-264 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.28 [°C/W] |
RM - Ráster | 5.45 [mm] |
Number of Pins | 3 |
D - Diámetro externo | 3.25 [mm] |
L - Longitud | 26 [mm] |
W - Ancho | 20 [mm] |
H - Altura | 5 [mm] |
PIN dimensiones | 1,3 [mm] |
Lv - Length of outlets | 20 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Productos alternativos 1: | IXXH75N60B3D1 |