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IXFN210N30P3

300V 192A N-channel MOSFET SOT-227B , 14,5mO miniBLOC

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IXFN210N30P3 Ixys
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IXFN210N30P3 Ixys
IXFN210N30P3 Ixys
pcs
ID Code:178481
Fabricante:Ixys
Precio con IVA : 36,444048 €
Precio sin IVA : 30,119048 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: IXFN210N30P3
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 30,119048 €36,444048 €
3 + 29,722222 €35,963889 €
5 + 29,523810 €35,723810 €
10 + 29,285714 €35,435714 €
300V 192A N-channel MOSFET SOT-227B , 14,5mO miniBLOC

Información básica:

Fabricante de la marcaIXFN210N30P3 
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configuración:Single 1*(T-BD) 
Especificación:Enhancement Mode 
Construcción:1*FET-BD 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :SOT-227 
Tipo de material:Si-Silicon 
Material BaseNo Info 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:36 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):10 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 300 [V]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1500  [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)14.5 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
tr (Turn-on / rise time)25 [ns]
tf (turn-off=fall time)13 [ns]
Qg (Total Gate Charge)268 [nC]
Cin/CL Load Capacitance16200 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)0.18 [°C/W]
RM - Ráster15 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 12.7 [mm]
D - Diámetro externo 4.1 [mm]
L - Longitud 38.1 [mm]
W - Ancho 25.3 [mm]
H - Altura 12 [mm]

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