N-channel MOSFET 200V / 210A
ID Code: | 179011 |
Fabricante: | Daco Semiconductor |
Precio con IVA : | 70,864256 € |
Precio sin IVA : | 58,565501 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | DAMI280N200 |
Unidad:: | pcs |
Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
1 + | 58,565501 € | 70,864256 € | ||
3 + | 55,483106 € | 67,134558 € | ||
4 + | 53,941909 € | 65,269710 € | ||
7 + | 52,400711 € | 63,404860 € |
Fabricante de la marca | DAMI280N200 |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SOT-227 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 36 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 13 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 210 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 0.85 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 800 [W] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 6 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 360 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 56 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 56 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 322 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 60770 pF |
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -50 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.18 [°C/W] |
RM - Ráster | 15 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 12.7 [mm] |
D - Diámetro externo | 4.1 [mm] |
L - Longitud | 38.1 [mm] |
W - Ancho | 25.3 [mm] |
H - Altura | 12 [mm] |
Productos alternativos 1: | IXFN230N20T |
I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm ID: 181709 Fabricante no.: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni
| Stock total: 7491 Fabricante: SEMIC EU |