N-channel MOSFET 200V / 130A
ID Code: | 179015 |
Fabricante: | Daco Semiconductor |
Precio con IVA : | 54,510966 € |
Precio sin IVA : | 45,050385 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilidad: | a petición |
Stock total: | 0 pcs |
Fabricante de la marca: | DAMI160N200 |
Unidad:: | pcs |
Resumen de descuentos por volumen | Cantidad (pcs) | Precio sin IVA | Precio con IVA | |
1 + | 45,050385 € | 54,510966 € | ||
3 + | 42,679312 € | 51,641968 € | ||
4 + | 41,493776 € | 50,207469 € | ||
7 + | 40,308239 € | 48,772969 € |
Fabricante de la marca | DAMI160N200 |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuración: | Single 1*(T-BD) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 1*FET-BD |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SOT-227 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Unidad: | pcs |
Peso: | 36 [g] |
Tipo de envase: | TUBE |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 13 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 130 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 0.9 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 440 [W] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 10.3 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 250 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 36 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 40 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 198 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 30790 pF |
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -50 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.25 [°C/W] |
RM - Ráster | 15 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 12.7 [mm] |
D - Diámetro externo | 4.1 [mm] |
L - Longitud | 38.1 [mm] |
W - Ancho | 25.3 [mm] |
H - Altura | 12 [mm] |
Productos alternativos 1: | IXFN180N20 |