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C2M1000170J

1700V Mosfet SiC

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C2M1000170J Cree
C2M1000170J Cree
pcs
ID Code:181815
Fabricante:Cree
Precio con IVA : 12,308332 €
Precio sin IVA : 10,172175 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: C2M1000170J
Unidad:: pcs
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Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
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1700V Mosfet SiC

Información básica:

Fabricante de la marcaC2M1000170J 
Tipo de componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configuración:single 1*(T-BD) 
Especificación:SiC Enhancement Mode MOSF 
Construcción:1*FET-BD 
Tipo de caso:SMD 
Caso [inch] :TO-263/7 
Tipo de material:SiC Full 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:2.68 [g]
Tipo de envase:TUBE 
Paquete pequeño (Número de unidades):50 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)3.6 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)78  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)20 [ns]
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf (turn-off=fall time)40 [ns]
Qg (Total Gate Charge)13 [nC]
Cin/CL Load Capacitance200 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-55 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)1.5 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]

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