High Speed IGBT 1200V above 15kHz
Información básica:
Fabricante de la marca | SKM75GB12F4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construcción: | 2*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITRANS-2 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 160 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 8 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 103 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 79 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.42 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.41 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 425 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 4400 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.38 [°C/W] |
L - Longitud | 94 [mm] |
W - Ancho | 34 [mm] |
H - Altura | 30 [mm] |
Alternativas y sustitutos
Productos alternativos 1: | SKM100GB125D |