MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample
• Extremely low inductance design: LCE=6nH
• Press-Fit contact technology
• Rugged mounting due to integrated mounting clamps
• Heat transfer and insulation through direct copper bonded aluminum oxide ceramic (DBC)
• 1200V CoolSiC MOSFET
• UL recognized file no. E 63 532
• Integrated NTC temperature sensor
Información básica:
Fabricante de la marca | SK200MB120TSCE2 |
Tipo de componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Especificación: | SiC N-Channel MOSFET |
Construcción: | 2*FET-BD |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITOP-E2 |
Tipo de material: | SiC Full |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 35 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 12 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 137 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Input Logic Level (Ugs level) | 15V |
tr (Turn-on / rise time) | 24 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 10 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 372 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 12000 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.3 [°C/W] |
L - Longitud | 57 [mm] |
W - Ancho | 63 [mm] |
H - Altura | 17 [mm] |