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SK200MB120TSCE2

MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample

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SK200MB120TSCE2 Semikron
SK200MB120TSCE2 Semikron
Ya no está en stock
ID Code:182130
Fabricante:Semikron
Precio: a petición
VAT:21 %
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: SK200MB120TSCE2
Unidad:: pcs
MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample
• Extremely low inductance design: LCE=6nH
• Press-Fit contact technology
• Rugged mounting due to integrated mounting clamps
• Heat transfer and insulation through direct copper bonded aluminum oxide ceramic (DBC)
• 1200V CoolSiC MOSFET
• UL recognized file no. E 63 532
• Integrated NTC temperature sensor

Información básica:

Fabricante de la marcaSK200MB120TSCE2 
Tipo de componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configuración:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Especificación:SiC N-Channel MOSFET 
Construcción:2*FET-BD 
Tipo de caso:Modul 
Caso [inch] :SEMITOP-E2 
Tipo de material:SiC Full 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:35 [g]
Tipo de envase:BOX 
Paquete pequeño (Número de unidades):12 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)137 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (Ugs level)15V 
tr (Turn-on / rise time)24 [ns]
tf (turn-off=fall time)10 [ns]
Qg (Total Gate Charge)372 [nC]
Cin/CL Load Capacitance12000 pF

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)175 [°C]
Rthjc (case)0.3 [°C/W]
L - Longitud 57 [mm]
W - Ancho 63 [mm]
H - Altura 17 [mm]

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