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DACMI200N1200

Single Full SiC MOSFET 1200V / 125A

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DACMI200N1200 Daco Semiconductor
DACMI200N1200 Daco Semiconductor
pcs
ID Code:182142
Fabricante:Daco Semiconductor
Precio con IVA : 270,0117 €
Precio sin IVA : 223,1501 €
VAT:21 %
Disponibilidad:a petición
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: DACMI200N1200
Almacén central Zdice: 0 pcs
De almacenamiento externo (tiempo de entrega de 5÷10 días): 0 pcs
Unidad:: pcs
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Single Full SiC MOSFET 1200V / 125A

Información básica:

Fabricante de la marcaDACMI200N1200 
Type of casing:MODUL 
Caso:SOT-227 
KategorieFull SiC 
Tipo de componente:!_n-mosfet_! 
Configuración:!_single 1*(t+d)_! 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA

Parámetros eléctricos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)6.5 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)980  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)15 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)220 [ns]
tr (Turn-on / rise time)32 [ns]
tf (turn-off=fall time)32 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)382 [nC]
Cin/CL Load Capacitance7500 pF

Material, color, diseño:

Tipo de material:!_sic full_! 
Material BaseCu+AL2O3 

Parámetros térmicos y mecánicos:

Tmin (temperatura mínima de trabajo)-50 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)0.13 [°C/W]

Dimensiones:

PIN dimensiones0.00 [mm]

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:35 [g]
Embalaje:12 

!_souvisejici zbozi_! - DACMI200N1200

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Fabricante no.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Cantidad [pcs]1+10+
EUR/pcs0,69920,6603
Ordenó
Fabricante: -  
RoHS
Todos los precios aparecen sin IVA y no incluyen los costos, que se sumarán a la orden como un elemento independiente de envío.

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